Top.Mail.Ru
Технология выращивания огурца корнишона в плёночных теплицах | Журнал "JK" Джей Кей

Технология выращивания огурца корнишона в плёночных теплицах

Посев и выращивание рассады

Посев рекомендуется в торфяные (или кокосовые) субстраты в кассеты в зимне-весеннем и летних оборотах. Посевы в горшки в ранние сроки приводят к рискам заболевания корневой системы от переизбытка воды. Глубина заделки семян 0,5 см. После посева и пролива кассет желательно накрыть их нетканым материалом или плёнкой (при посеве зимой и весной).

В летнее время, во избежание запаривания всходов, посевы следует накрывать только нетканым материалом. Оптимальные режимы досвечивания и температурный режим см. в Таблице 1.

В период после фазы 3-го листа и до высадки рассады в теплицу растения огурца необходимо подготовить для выращивания в производственной теплице при коротком световом дне, поэтому период досвечивания рассады необходимо сокращать, постепенно доводя его до естественного светового дня. Период досвечивания с 18 часов необходимо через каждые сутки снижать на 2 часа, в итоге за двое суток до высадки рассады досвечивают 12 часов, за одни сутки досветку отключают полностью.
В период после фазы 3-го листа и до высадки рассады в теплицу растения огурца необходимо подготовить для выращивания в производственной теплице при коротком световом дне, поэтому период досвечивания рассады необходимо сокращать, постепенно доводя его до естественного светового дня. Период досвечивания с 18 часов необходимо через каждые сутки снижать на 2 часа, в итоге за двое суток до высадки рассады досвечивают 12 часов, за одни сутки досветку отключают полностью.

При низком уровне освещения температура выращивания рассады должна быть снижена на 1-2 С, что предотвратит вытягивание растений. Для получения максимального раннего урожая и высокой общей урожайности необходима качественная рассада с 4-5 настоящими листьями. Оптимальный баланс между подземной и надземной частями растения обеспечит размер горшков не менее 0,5 л на каждое растение. Если используются горшки меньшего объема, то рассада должна высаживаться в подготовленную и прогретую почву раньше. При посеве в ранние сроки рассаду досвечивают натриевыми лампами из расчета 60-70 Вт/м 2, высота ламп 1,7-1,8 м над растениями.

Во время выращивания рассады желательны 2-3 подкормки макро и микроэлементами, а также биопрепаратами на основе Trichoderma, Bacillus subtilis, Pseudomones fluorescens, которые блокируют нежелательную микрофлору, как Pythium, Fusarium, Rhizoctonia. Порядок внесения полезной микрофлоры: перед посевом за 3-4 дня торфяной субстрат заправляется препаратом на основе Trichoderma в нормах, рекомендованных производителем. Bacillus subtilis, Pseudomones fluorescens вносятся проливом рассады через 2 недели после внесения Trichoderma.

Немаловажным фактором, о котором не следует забывать, является влажность воздуха в теплице. Особенно важно выдерживать высокую влажность воздуха на стадии всходов, поскольку в этот период происходит сбрасывание семенных чешуек с семядоль. При низкой влажности воздуха этот процесс затягивается, семядолей раскрываются плохо, возможны повреждения растений, а также досвечивание становится малоэффективным. Оптимальным в этот период будет поддержание влажности воздуха на уровне 90-95%. После появления первого настоящего листа влажность воздуха понижается до 80-85%, но не ниже, поскольку дальнейшие понижение может вызвать куполообразность листьев и подсыхание кончика листа.

Посадка

Посадка рассады должна проходить в хорошо прогретый грунт, поэтому, если в теплице нет почвенного обогрева, необходимо предварительное прогревание производственной теплицы. Из всех культур закрытого грунта у огурца наиболее слабая корневая система, поэтому для получения высоких результатов необходимо создать наиболее благоприятные условия для ее развития. Оптимальная температура корневой системы С. При посадке в конце февраля начале марта густота стояния растений не должна превышать 2,4 раст./м 2, при более поздних сроках посадки 2,6-3,0 раст./м 2. Рекомендуется двухрядная схема посадки. Расстояние между грядами 0,8-1,0 м; расстояние между строчками 0,6 м, и в строчке между растениями 0,4 м.

Первые двое-трое суток после высадки растений на постоянное место необходимо удерживать температуру на уровне 20-21 С круглосуточно. Этот прием дает толчок к вегетативному росту растения и ускоряет процесс приживаемости. В дальнейшем необходимо постепенно понизить ночную температуру до уровня 18 С, а дневную оставить на прежнем уровне 20-21С. Температурный режим в теплице очень сильно влияет на тип развития растения, поэтому своевременная корректировка среднесуточной температуры позволяет направить растение в сторону вегетативного или генеративного роста.

При очень высоких температурах (> 30 С) желательно притенять кровлю в теплице с помощью известкового раствора или использовать затеняющую сетку или белый нетканый материал.

ВАЖНО! Резкое повышение температуры в утреннее время опасно, так как оно приводит к конденсату на листьях и, как следствие, к болезням. При резком снижении температуры в теплице растение испытывает гораздо меньший стресс, потому что оно остывает медленнее, чем воздух.

ВАЖНО! Частая ошибка нехватка достаточного количества форточек (фрамуг) в теплицах. Для обеспечения необходимого уровня вентиляции площадь фрамуг должна составлять не менее 25% от общей площади теплицы. Иначе в ранние часы температура будет резко повышаться, и днём не удастся избежать экстремально высоких температур.

При нормальной нагрузке плодами оптимальной будет температура, которая приведена в Таблице 2.

Температурный режим огурца в зависимости от прихода солнечной радиации
Температурный режим огурца в зависимости от прихода солнечной радиации

В период, когда центральный стебель доходит до шпалеры, для интенсивного роста боковых побегов рекомендуется снизить ночную температуру до 16 С на 3-7 суток. Такое понижение способствует также образованию крепких завязей. В начальный период роста слишком высокие ночные температуры способствуют быстрому росту и быстрому выходу растения на шпалеру. В этом случае необходимо дополнительное удаление нижних завязей до 7-8 листа, иначе очень высока вероятность сброса завязи в среднем ярусе.

Формировка растений и уход

Все корнишоны не требуют особых затрат труда на формирование растения. Так как период выращивания корнишонов невелик, большую часть урожая собирают с центрального стебля. Центральный стебель ведут до шпалеры без боковых побегов, удаляя все завязи в первых междоузлиях до высоты 40-50 см в зависимости от срока посева. В дальнейшем количество завязей не нормируется. Главный побег прищипывают под шпалерой и оставляют 2-3 боковых побега, которые разводят по шпалере. Оставленные побеги 1-го и 2-го порядка прищипывают над 4-м листом. Количество завязей на боковых побегах растение регулирует самостоятельно. У гибридов с букетным расположением завязей происходит сильная конкуренция за питательные вещества и часть завязей может отмирать. Небольшое количество завязей в каждой пазухе листа дает некоторые преимущества, связанные с тем, что завязи получаются крепкими, с высокой вероятностью интенсивного налива плода и меньшим поражением грибковыми заболеваниями. Формировка рекомендуется «полузонтиком» или Г-образная (см. Рис. 1): необходимо ослепить нижние 4-7 пазух, в зависимости от сроков посадки.

Технология выращивания огурца корнишона в плёночных теплицах, изображение №4

Далее на главном стебле удаляют боковые побеги и лишние завязи (в случае, если в одном узле закладывается более 3-х зеленцов). Главный стебель ведут до шпалеры, перекидывают без заломов через шпалеру до соседнего растения, опускают на 4-5 листьев вниз, точку роста удаляют. На шпалере оставляют 1-2 боковых побега первого порядка.

Таким образом, культуру держим открытой, свет проникает глубже, плоды наливаются на свету быстрее. Нормировка завязей позволяет уменьшить конкуренцию Рис. 1 за пластические вещества, снизить количество нестандарта (плоды неправильной формы), и вести сборы равномерно, без перерывов. Особенно актуален этот прием в период низкой освещённости, так как в этом случае конкуренция между завязями усиливается. Чаще всего количество завязей увеличивается после солнечных дней, что при наступлении пасмурной погоды может вывести растение из баланса. Зависимость урожайности, формировки и плотности посадки см. на Графике 1.

Технология выращивания огурца корнишона в плёночных теплицах, изображение №5

Выводы по графику 1: Самый высокий урожай зеленца достигается при ежедневном сборе урожая, при плотности посадки 3,0 раст./м 2 и с полным удалением всех боковых побегов на главном побеге. Также положительный эффект даёт удаление усов. При проведении сборов урожая через день и более, резко увеличивается количество переросших плодов, а урожайность снижается на 15-20%.

Рост плода в длину останавливается при достижении им размера 11-12 см, и начинается интенсивный рост в ширину. Оптимальным для сборов будет диаметр плодов 3-3,5 см.

Если на растении остаются переростки, то значительно сокращается налив следующих плодов, а также уменьшается общая урожайность. В зависимости от потребностей рынка размер и средний вес плодов могут значительно изменяться, но оптимальным для получения наивысшей урожайности будет средний вес в пределах 85-90 грамм.

Особенности питания

Огурцы корнишоны очень отзывчивы на органические удобрения. Желательно применение компостированного конского или коровьего навоза в нормах 20-40 кг/м в сочетании с нитроаммофоской или азофоской — около 20 г/м 2. Рекомендуем провести агрохимический анализ грунта и поливной воды и определить:

Lля почвы рн водная вытяжка, рн солевая, нитратный и амиачный азот, фосфор, калий, кальций, магний, по возможности, микроэлементы;

Lля воды рн, ЕС (электропроводность), азот нитратный и аммиачный, калий, кальций, натрий и магний.

После получения агрохимического анализа нормы внесения удобрений будут наиболее корректными. Поливная вода может быть с высоким содержанием солей, что может вызвать засоление почв и, в дальнейшем, влиять на снижение урожайности. Следует контролировать засоленность грунта и поливной воды с помощью кондуктометра. Огурец плохо переносит высокое засоление.

Огурцы корнишоны отличаются ранними сроками вступления в плодоношение и очень высокой продуктивностью в начальный период выращивания, поэтому требуют повышенных доз внесения удобрений. На разных этапах развития растения огурца требуют различного соотношения между элементами питания. Капельный полив с регулярным внесением удобрений обеспечивает сбалансированное питание на протяжении всего периода выращивания. Уборка плодов в апреле-мае ведется ежедневно. Это значит, что вынос из грунта элементов питания растением очень высокий, поэтому необходимы ежедневные корневые подкормки.

При нарушении корневого питания и визуальном обнаружении дефицита какого-либо элемента будет полезно проведение внекорневой подкормки. Но внекорневое питание не восполнит недостаток этого элемента в грунте и уже через 3-4 дня необходима повторная обработка. Внекорневые обработки растений должны использоваться как можно реже и только как скорая помощь, так как в таких подкормках есть ряд негативных факторов: повышение влажности в теплице, высокая вероятность ожогов листа, очень большие затраты труда и времени, а также быстрое старение листьев. Для избежания возникновения подобных проблем, можно использовать показатели оптимальных уровней элементов питания растений в зависимости от периода роста и развития, которые приведены в Таблицах 3 и 4.

Технология выращивания огурца корнишона в плёночных теплицах, изображение №6
Технология выращивания огурца корнишона в плёночных теплицах, изображение №7

Защита растений

Основными вредителями огурца в теплице являются: тепличная белокрылка, путинный клещ, трипсы, минирующая муха и тля. Все эти вредители могут зимовать в теплице и появляться на растениях сразу после высадки рассады. Но если в конце предыдущего периода была проведена хорошая дезинфекция, то вредители, как правило, появляются в конце мая начале июня и особого вреда не наносят. Химический метод борьбы с вредителями является основным на сегодняшний день.

При применении пестицидов необходимо:

Точно установить необходимую дозу и концентрацию вещества;

Проводить обработку растений с распылом рабочего раствора под нижнюю часть листа;

Выдерживать необходимый температурный режим в период обработки и после нее.

Для успешной химической борьбы с вредителями обязательно наличие не менее двух препаратов с разным действующим веществом и обязательное их чередование в течение сезона.

Появление грибных заболеваний в теплице можно предвидеть и эффективно бороться с ними до начала массового поражения растений. Основными факторами для развития большинства заболеваний являются большой перепад температур в теплице и высокая влажность воздуха.